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LVD 與LVR 的區(qū)別

語音芯片參考資料: AC8040語音芯片,和AC8080語音芯片.兩顆芯片均可支持DAC或PWM.

LDO 線性穩(wěn)壓器定義

LDO 是一種線性穩(wěn)壓器。線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。

所謂壓降電壓,是指穩(wěn)壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內(nèi)所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的 LDO(低壓降)穩(wěn)壓器通常使用功率晶體管(也稱為傳遞設(shè)備)作為 PNP。這種晶體管允許飽和,所以穩(wěn)壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓,通常為 200mV 左右;與之相比,使用 NPN 復(fù)合電源晶體管的傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器的壓降為 2V 左右。負(fù)輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設(shè)備,其運(yùn)行模式與正輸出 LDO 的 PNP設(shè)備類似。
更新的發(fā)展使用 CMOS 功率晶體管,它能夠提供最低的壓降電壓。使用 CMOS,通過穩(wěn)壓器的唯一電壓壓降是電源設(shè)備負(fù)載電流的 ON 電阻造成的。如果負(fù)載較小,這種方式產(chǎn)生的壓降只有幾十毫伏。

 

功能:DAC聲音輸出,外接放大推喇叭。
帶警報(bào)聲長滴滴聲,內(nèi)容為標(biāo)準(zhǔn)40秒樣品方案內(nèi)容。
如果改動(dòng),恕不另行通知!

 

 

MCU 所提供的 LVD(低電壓檢測(cè))及 LVR(低電壓復(fù)位)兩個(gè)非常實(shí)用的功能,能避免電源電壓(VDD)不正;虿环(wěn)定時(shí),使 MCU 預(yù)先提醒或立即復(fù)位,以確保產(chǎn)品應(yīng)用的穩(wěn)定 性。

功能說明
LVD 和LVR 皆為 MCU 對(duì) VDD 進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)檢測(cè)低于所配置的電壓點(diǎn)時(shí),前者將產(chǎn)生警告信號(hào)(LVDO 標(biāo)志位與中斷標(biāo)志位),后者則立即強(qiáng)制使MCU 復(fù)位。下文對(duì) HT Flash MCU 的LVD 和 LVR 功能做詳細(xì)的介紹。

LVD - 低電壓檢測(cè)
大部分 MCU 皆具備 LVD 功能,此功能用于檢測(cè)MCU 的 VDD,當(dāng) VDD 低于 LVD 所配置的電 壓點(diǎn),則會(huì)產(chǎn)生一個(gè)警告信號(hào)(LVDO 標(biāo)志位與中斷標(biāo)志位),軟件開發(fā)人員可檢測(cè)信號(hào),判 斷系統(tǒng)是否即將進(jìn)入低電壓或斷電的狀態(tài),然后設(shè)置 MCU 做出相應(yīng)動(dòng)作以保持系統(tǒng)的正常 或?qū)崿F(xiàn)相關(guān)功能。

LVD 功能由 LVDC 寄存器設(shè)置,其中 VLVD2~VLVD0 用于選擇 8 組LVD 電壓點(diǎn)。LVDO 是LVD 的輸出標(biāo)志,當(dāng) MCU VDD 大于 LVD 時(shí),LVDO 標(biāo)志為 0,當(dāng)?shù)陀?LVD 標(biāo)志為 1,同時(shí) LVD 的中斷標(biāo)志(LVF)同步置 1,須由程序手動(dòng)清為零。

省電模式下 LVR 與 LVD
系統(tǒng)進(jìn)入省電模式時(shí),LVR 是無效的,因此無法依靠LVR 在低電壓復(fù)位,也不存在耗電問題,而MCU 進(jìn)入 SLEEP0 Mode 前,須關(guān)閉 LVD 功能(由 LVDC 的 LVDEN 設(shè)置為 0),若 LVDEN 設(shè)置為 1,則不會(huì)進(jìn)入 SLEEP0 Mode,如果在省電模式下須開啟 LVD 功能,則系統(tǒng)可進(jìn)入SLEEP1 Mode 或其他 IDLE Mode 功能。

 

LVD 與 LVR 應(yīng)用配置
LVD 與LVR 的區(qū)別是:LVD 觸發(fā)動(dòng)作產(chǎn)生的是提示性信號(hào),MCU 可藉由信號(hào)提前告知電壓不穩(wěn)定或不正常,MCU 并作相對(duì)應(yīng)的動(dòng)作或保護(hù)機(jī)制,而 LVR 功能觸發(fā)產(chǎn)生的是對(duì)MCU 做復(fù)位動(dòng)作,MCU 會(huì)立即強(qiáng)行復(fù)位及跳轉(zhuǎn)到程序初始狀態(tài)。所以,在同時(shí)使用這兩個(gè)功能時(shí),一般都會(huì)將 LVR 電壓配置得比 LVD 低一些,這樣就可以做到VDD 電壓降低之后先觸發(fā) LVD 做保護(hù)動(dòng)作,再觸發(fā) LVR 以維持產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

MCU 對(duì)內(nèi)置振蕩 為 8M 的規(guī)格電壓范圍定在 2.2V~5.5V,若 LVR 的復(fù)位電壓配置在 2.1V,此處看 似 LVR 無法覆蓋到最低工作電壓,但 2.2V 的工作電壓并非 HIRC 或晶體的停振點(diǎn),所以配 置 2.1V 的LVR 電壓并不影響到 MCU 的正常使用。

關(guān)于 16MHz 和20MHz 的規(guī)格電壓為 4.5V~5.5V,LVR 的最高配置電壓為 3.8V,LVR 并未覆 蓋到 16MHz 和 20MHz 應(yīng)用的最小電壓,但最小的 4.5V 并非 MCU 晶體的停振電壓點(diǎn),所以 3.8V~4.5V 這個(gè)電壓區(qū)間晶體不會(huì)停振,此時(shí)程序也不需擔(dān)心異常。

如果 16MHz 和20MHz 的應(yīng)用中,LVR 配置為 3.8V,VDD 降到 3.8V 以下 LVR 復(fù)位后,LVR 復(fù)位配置的 LVRC 初始值為 2.1V,此時(shí)會(huì)出現(xiàn)以下兩種狀態(tài):

l VDD 降到 3.8V 以下,但并未低于起振點(diǎn),MCU 在 LVR 復(fù)位后起振正常,程序跑到配置
LVRC 處配置 LVRC,配置完 LVRC 之后等待 tLVR 過后 MCU 會(huì) LVR 復(fù)位,此后如此反復(fù)。

l VDD 降到3.8V 以下,電壓已經(jīng)低于起振點(diǎn),MCU 在LVR 復(fù)位后無法起振,MCU 上電復(fù)位后所有 I/O 為默認(rèn)輸入,MCU 不執(zhí)行任何指令,MCU 不對(duì)電路有任何動(dòng)作。

LVD 與LVR 使用時(shí)機(jī)

LVD 使用時(shí)機(jī)
LVD 功能在電池電源的產(chǎn)品應(yīng)用中,大多數(shù)用來判斷電池電量,當(dāng)檢測(cè)到電池電量將要耗盡時(shí),產(chǎn)品將作出提示動(dòng)作,以便提醒用戶對(duì)產(chǎn)品更換電池,以保持產(chǎn)品的使用度。在常 見交流電的產(chǎn)品中,以 LVD 檢測(cè) VDD,可由 VDD 判斷交流電源是否斷開,例如吸頂燈,通過LVDO 從 0 → 1 → 0 的變化,從而判斷這是使用者利用開關(guān)對(duì)吸頂燈作一次換檔位的動(dòng)作, 吸頂燈再去做亮度或色溫的變化。

LVR 使用時(shí)機(jī)
常用的 LVR 應(yīng)用,比如說電池類的產(chǎn)品更換電池,一般使用電池的產(chǎn)品功耗都比較低,且 產(chǎn)品上面電容上儲(chǔ)存的電量一般可以維持 VDD 在10 秒以上電壓降不到0V,但這會(huì)有一個(gè)緩慢的掉電過程,就有很大的概率令使 VDD 低于LVR,則 MCU 將產(chǎn)生電壓復(fù)位的動(dòng)作,待新 電池安裝之后,VDD 上升到 LVR 以上,系統(tǒng)恢復(fù)正常工作,保證系統(tǒng)正常運(yùn)行。

 

結(jié)論
本文通過總結(jié)歸納了 LVD 和LVR 的一些使用注意事項(xiàng)和使用技巧,結(jié)合程序范例幫助用戶 能夠更靈活的運(yùn)用 LVD 和LVR 的功能。

 

 

DAC方式輸出,樣品為TG5復(fù)位功能。

AC8040 報(bào)警提示電動(dòng)車語音芯片 / 單片機(jī)通信PWM直推喇叭接線方法:

 

AC8040 / 4.5V Serial Mode PWM / MCU Application

 

1,芯片正負(fù)極的串聯(lián)兩顆104電容設(shè)計(jì)在芯片1cm以內(nèi)。以減少電源高頻噪音。
2,按照EMC標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)104電容電路,串聯(lián)兩顆104電容。
3,芯片的放置位置盡量遠(yuǎn)離,電機(jī)和無線等高干擾器件部分。

請(qǐng)注意!
靜電敏感器件請(qǐng)做好電磁干擾防范。
esd靜電敏感器件請(qǐng)做好電磁干擾防范


電路操作注意事項(xiàng):

靜電在很多地方都會(huì)產(chǎn)生,采取下面的防護(hù)措施,可以有效的防止 MOS 電路由于受 靜電放電影響而損壞:。

● 操作人員要通過防靜電腕帶接地。

● 設(shè)備務(wù)必外殼接地。

● 裝配過程中使用的工具必須接地。

語音芯片常見注意事項(xiàng):

1,語音芯片的喇叭常規(guī)為:8歐0.25-0.5瓦。歐姆值范圍:8-32歐,值變大時(shí)音量變小變?nèi)。歐功率值范圍:0.25-1瓦(W)。無法驅(qū)動(dòng)4歐喇叭和2W以上的喇叭。

2,語音芯片電路中正負(fù)極的104電容(0.1uF),除極少數(shù)簡易功能芯片在紐扣電池4.5V以下供電時(shí),都不能省去,否則會(huì)引發(fā)不發(fā)聲音,聲音中斷,雜音等不良情況。

● 電容設(shè)計(jì)線路板時(shí),離芯片越近越好!

● 正負(fù)極的104電容,除特別注明的簡易功能芯片外,一定不能省!

3,應(yīng)用電路中存在變壓器,馬達(dá)和大電感元件時(shí),語音芯片應(yīng)按電磁規(guī)范,做好相應(yīng)防范措施,語音芯片屬于敏感器件。

 

 

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2,語音玩具芯片:以掩膜IC開發(fā)和和電動(dòng)馬達(dá)閃燈為主打的產(chǎn)品資料中心.

3,錄音放音芯片:以ISD錄音系列產(chǎn)品為主打的產(chǎn)品資料中心.

4,語音機(jī)芯標(biāo)準(zhǔn)片:以公司現(xiàn)有語音IC(無掩膜費(fèi)用)和半成品機(jī)芯為主打的產(chǎn)品資料中心.

5,品牌IC中心:以語音識(shí)別方案和語音芯片結(jié)合單片機(jī)為主打的產(chǎn)品資料中心.

 

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